工程项目背景图案 某特大型半导体材料加工公司最靠近长角形地段，重要种植晶圆和基带芯片。在种植环节中，晶圆打孔和镜面抛光关键时期出现很多碾磨液化工废水，单日排放物出量约50吨。基于化工废河中具有高氧浓度浮悬物、不锈钢铁离子及有机质含有剂，简单排放物出会对周围环境引起严峻被污染，公司亟需建造专业技术处置基础设施。 污废水 基本成分及来原 考虑液废污水常见来原于晶圆激光加工中的物理自动化机械打磨抛光（CMP）繁琐流程，常见破坏物包含： 浮动粒状物 ：二脱色硅、脱色铝等考虑顆粒，粒度在0.1-1μm，溶液浓度高至2000mg/L。 重金属正离子 ：铜、铁、锌等，存在打磨垫受到磨损及晶圆表面层金属件层，铜铁离子氧化还原电位约50mg/L。 设计更改剂 ：属于表面能活性氧剂、缓蚀阻垢剂等，COD值在800-1200mg/L。 酸含碱性物料 ：pH值上下波动大，基本在2-11期间。 整理加工制作工艺 工作流程 涉及工业废水基本特征，用到“预除理+生物化+强度除理”组合构成加工制作工艺 ： 调接池 ：稳定水的质量蓄水量，放入酸碱性调低pH至中性粒细胞。 混泥土滤渣 ：添加PAC（缔合氯化铝）和PAM（聚丙酰胺），彻底清除浮悬物和橡胶胶体部分，沉降后SS彻底清除率>90%。 离子液体防氧化 ：用到Fenton化学药品（H₂O₂+Fe²⁺）光降解生物碳加剂，COD清理率达60%。 微生物解决 ：MBR膜怪物不良催化反应器进的一步生物降解剩于有机质物，COD降落到100mg/L以內。 阴离子传递 ：专属硅橡胶吸收铜阴离子，水流铜分量<0.5mg/L。 砂滤+可溶性炭过滤水 ：事关出水出水清澈见底，满足《废污水宗合废气排放基准》（GB8978-1996）一个基准。 结果特效 控制系统运营保持稳定后： SS<10mg/L，COD<60mg/L，铜铁离子<0.3mg/L。 工业废气处理率达40%，所剩标准污染物，年减掉废气污染物1.7万吨。 处理费用约15元/吨，远高于服务行业差不多。